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高真空磁控溅射镀膜机 JCP200


一、设备概述

1、适用:大专院校、科研院所及企业进行薄膜新材料的科研与小批量制备。

2、产品特点/用途

设备可溅射/蒸发两用;占地面积小,价格便宜,性能稳定,使用维护成本低;

► 可用于制备单层及多层金属膜、介质膜、半导体膜、磁性膜、传感器膜及耐热合金膜、硬质膜、耐腐蚀膜等;

► 镀膜示例:银、铝、铜、镍、铬、镍铬合金、氧化钛、ITO、二氧化硅等;

► 单靶溅射、多靶依次溅射、共同溅射等功能。

 

二、技术参数

型号 JCP200
真空腔室结构 立式上开盖结构,下置抽气系统,手动气弹簧提开式
真空腔室尺寸 Φ210×H310mm
加热温度 室温~350℃
溅射方式 向上溅射
旋转基片台 Φ100mm
膜厚不均匀性 Φ50mm范围内≤±5.0%
溅射靶/蒸发电极 Φ2英寸磁控靶1支,预留1组蒸发电极接口
工艺气体 1-2路气体流量控制
控制方式 PLC控制/工控机全自动控制可选
占地面积 (主机)L600×W800×H1700mm
总功率 ≥7KW