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管式化学气相沉积设备 CVD100


一、产品概述

1、适用范围:适合于各单位实验室、高等院校实验室、教学等的项目科研、产品中试之用。

2、产品优点及特点:该设备是利用有机金属源化学气相沉积技术,石英管生长室清洁无污染;4~6路气体控制合理;加热温度高控温准确且均匀,加热温度最高1000℃。高真空环境,兼具真空退火炉功能。

3、主要用途:可制备用于光电子、半导体、石墨烯、微波器件等高纯薄膜。

 

二、技术参数

型号 CVD100
真空腔室结构 高纯石英管
真空腔室尺寸 Φ100×L1000mm
衬底温度 室温~1000℃,可调可控
电源 DC
控制方式 PLC控制
占地面积 主机L1620×W1060×H1900mm
总功率 ≥6KW