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等离子增强化学气相沉积设备 PECVD350


一、产品概述

1、适用范围:适合于各单位实验室、高等院校实验室、教学等的项目科研、产品中试之用。

2、产品优点及特点:等离子体增强化学气相沉积,兼等离子体清洗、等离子体刻蚀。

3、主要用途:主要用来制作SiO2、Si3N4、非晶Si:H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介电、半导体及金属膜。

 

二、技术参数

型号 PECVD350
真空腔室结构 立式上开盖结构
真空腔室尺寸 Φ350×H300mm
基片台尺寸 Φ200mm
衬底温度 500±5℃
电源 RF
控制方式 PLC控制
占地面积 主机L1600×W800×H1700mm
总功率 ≥6KW