2018-01-17 点击数:
半导体与绝缘体
Si | GaAs | Ge | αSiC | SiO2 | Si3N4 | |
密度(g/cm3) | 2.33 | 5.32 | 5.32 | 3.21 | 2.2 | 3.1 |
击穿场强(MV/cm) | 0.3 | 0.5 | 0.1 | 2.3 | 10 | 10 |
介电常数 | 11.7 | 12.9 | 16.2 | 6.52 | 3.9 | 7.5 |
禁带宽度(eV) | 1.12 | 1.42 | 0.66 | 2.86 | 9 | 5 |
电子亲和能(eV) | 4.05 | 4.07 | 4 |
| 0.9 |
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折射率 | 3.42 | 3.3 | 3.98 | 2.55 | 1.46 | 2.05 |
熔点(℃) | 1412 | 1240 | 937 | 2830 | ~1700 | ~1900 |
比热容(J/(g•℃)) | 0.7 | 0.35 | 0.31 |
| 1 |
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热导率(W/(cm•℃)) | 1.31 | 0.46 | 0.6 |
| 0.014 |
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热扩散系数(cm2/s) | 0.9 | 0.44 | 0.36 |
| 0.006 |
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热膨胀系数(*10-6) | 2.6 | 6.86 | 2.2 | 2.9 | 0.5 | 2.7 |
金属
Al | Cu | Au | TiSi2 | PtSi | |
密度(g/cm3) | 2.7 | 8.89 | 19.3 | 4.043 | 12.394 |
电阻率(μΩ•cm) | 2.82 | 1.72 | 2.44 | 14 | 30 |
温度系统 | 0.0039 | 0.0039 | 0.0034 | 4.63 |
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对n-si的热量(eV) | 0.55 | 0.60 | 0.75 | 0.60 | 0.85 |
热导率(W/(cm•℃)) | 2.37 | 3.98 | 3.15 |
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熔点(℃) | 659 | 1083 | 1063 | 1540 | 1229 |
比热容(J/(g•℃)) | 0.90 | 0.39 | 0.13 |
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热膨胀系数(*10-6) | 25 | 16.6 | 14.2 | 12.5 |
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